大家都知道Intel的4年搞定5代CPU工藝的戰(zhàn)略了，這個(gè)過程中最重要的提升就是20A及18A兩代工藝，將在2024年上半年、下半年準(zhǔn)備就緒，相當(dāng)于友商的2nm及1.8nm工藝，比臺(tái)積電的進(jìn)度要快2年。
Intel的目標(biāo)是在2025年實(shí)現(xiàn)重返半導(dǎo)體工藝領(lǐng)先地位，能不能成功的關(guān)鍵就看20A及18A了。
從技術(shù)上來說，20A及18A不僅是首款進(jìn)入埃米節(jié)點(diǎn)的工藝，還會(huì)首發(fā)兩大突破性技術(shù)，也就是RibbonFET和PowerVia，其中RibbonFET是Intel對(duì)Gate All Around晶體管的實(shí)現(xiàn)，它將成為公司自2011年率先推出FinFET以來的首個(gè)全新晶體管架構(gòu)。
該技術(shù)加快了晶體管開關(guān)速度，同時(shí)實(shí)現(xiàn)與多鰭結(jié)構(gòu)相同的驅(qū)動(dòng)電流，但占用的空間更小。
PowerVia是Intel獨(dú)有的、業(yè)界首個(gè)背面電能傳輸網(wǎng)絡(luò)，通過消除晶圓正面供電布線需求來優(yōu)化信號(hào)傳輸。
最終到底如何？以20A為例，它的每瓦性能比Intel 3高出15%，后者又比Intel 4高出18%，Intel 4又比當(dāng)前的Intel 7工藝提升20%的每瓦性能，算下來20A比當(dāng)前的13代酷睿能效高出63%以上。
如此夸張的能效下，有網(wǎng)友計(jì)算了下，這就意味著當(dāng)前250W酷睿i9-13900K的性能當(dāng)時(shí)候至需要90W即可，不需要高功耗就能實(shí)現(xiàn)強(qiáng)大性能釋放，對(duì)筆記本來說尤其重要。
當(dāng)然，這些還是20A工藝的紙面性能，具體如何還要等產(chǎn)品上市，首發(fā)20A工藝的應(yīng)該是15代酷睿Arrow Lake了，明年上市。
