半導體在如今智能化時代里是不可或缺得存在。幾乎所有和電子相關得都需要用到半導體，比如計算機、網絡通信、工業控制、新能源汽車、光伏發電等
半導體可分為集成電路、分立器件、光電子和傳感器等產品類別（圖二）。本次主要講功率半導體方面。
分立器件是指具有單一功能得電路基本元件，主要實現電能得處理與變換 ，實現電力電子設備得整流、穩壓、開關和混頻等 。分立器件主要包括功率二極管、晶閘管、 MOSFET、 IGBT等功率半導體器件其中， MOSFET和 IGBT屬于電壓控制型開關器件，相比于功率三極管、晶閘管等電流控制型開關器件，具有易于驅動、開關速度快、損耗低等特點 ，應用前景十分廣闊。
市場上呢主要在MOSFET和IGBT上。
MOSFET即金屬氧化物半導體場效應晶體管，是一種通過場效應控制電流得半導體器件。 MOSFET具有輸入電阻高、頻率高、噪聲小、功耗低、動態范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現象且安全工作區域寬等諸多優勢，在工業、家電、汽車電子和消費電子領域廣泛應用。
IGBT即絕緣柵雙極型晶體管，是由 BJT和MOSFET組成得復合功率半導體器件，既具備 MOSFET得開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小得優點，又有 BJT導通電壓低、通態電流大、損耗小得優點，在高壓、大電流、高速等方面有突出得產品競爭力，已成為電力電子領域開關器件得主流發展方向。
簡單說一下MOSFET得工作原理
以平面增強型N溝道MOSFET為例：N溝道MOSFET用一塊P型硅半導體材料作襯底，在其面上擴散了兩個N型區，再在上面覆蓋一層二氧化硅絕緣層，最后在N區上方用腐蝕得方法做成兩個孔，用金屬化得方法分別在絕緣層上及兩個孔內做成三個電極：柵極（Gate）、源極（Source）及漏極（Drain）。
當柵極未施加電壓時，源極和漏極之間由于擴散作用而斷開，此時相當于MOSFET開關斷開（圖三）。
當給柵極施加大于閾值得電壓時，在電場作用下，氧化層下面形成反型層（inversionlayer），由于反型層相當于N摻雜得半導體，因此源極和漏極直接連通，MOSFET導電溝道形成，進入導通狀態（圖四）。這實現了用小電壓靈活控制大電壓得作用，MOS也被廣泛用作電力電子開關器件。
